1. 由于晶振片損壞，模式跳躍

2. 膜料應力大導致所鍍膜層從晶振片表面剝離，翹層。

3. 來自蒸發源（坩堝）的微顆?；颉盀R物”，“雜質”打擊到晶振片。

4. 晶振片的基座（探頭帽）的表面有小顆粒或有外來微粒（基座不正常）。

5. 小塊材料落在晶振片上（晶振片一面是面向蒸發源的） 

1. 彈片與晶振片之間間歇接觸或接觸不良（接觸點氧化）。

2. 彈片已經失去彈力，變形，或斷腳現象，以及彈片與陶瓷圈之間松動。

3. 來自蒸發源的 RF 干擾。

4. 電纜 / 振蕩器沒有連接好，或者連接到錯誤的傳感器輸入端。

1. 該現象為探頭基座 ( 單探頭，多探頭一樣 ) 內部接觸彈片變形，斷裂，或者接觸不良，不是晶振片不良。

2. 離子源中和未調節好，導致過量的帶電離子瞬間擊穿晶振片，在晶振片表面形成點擊花紋。

1. 無氣源，或氣動壓力不足

2. 鍍膜材料聚集在蓋上，使操作受阻

3. 準直不正確 ( 主要為多探頭 ) 

4. 0.0225’直徑小孔未安裝于電磁閥的供氣一側 ( 主要為多探頭 )

1. 由于熱接觸差，晶體被加熱 

2. 外磁場干擾傳感器的磁場，如離子源

3. 晶振片子鍍膜過程中出現了負跳現象